《超大規模集成電路測試》課程作業一、作業要求:上課做過報告的同學不再安排作業任務。未做報告的同學每人一題,組內不能重復(比如黃希雷選擇習題4,張一棟選擇習題5,楊鑫選擇習題6)。提交打印版,截止時間:...
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集成電路低功耗設計方法為什么需要低功耗設計v在傳統設計中,由于器件集成度相對較低,所以功耗問題沒那么突出。隨著集成電路技術的發展,單片上已經能集成更多更快的管子,從而導致了功耗的逐漸上升。集成電路技術...
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超大規模集成電路課程論文題目:超大規模集成電路的設計方法和應用實例院系:專業:年級:學號:姓名:指
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VLSI總復習題一、選擇題1下列哪一步不屬于光刻過程(C)A涂膠B顯影C離子注入D刻蝕2下列哪一個不屬于MOS反相器的類型(C)AEDBERCDEDCMOS3上題2中,(D)屬于無比電路。4當VGSV...
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第二章集成電路工藝基礎清華大學計算機系DATE1第一節引言L集成電路的制造需要非常復雜的技術。作為集成電路設計者,有必要了解芯片設計中的工藝基礎知識,才能根據工藝技術的特點優化電路設計方案。對于電路和...
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目錄1.目的與任務22教學內容基要求23設計的方法與計算分析23174HC139芯片簡介332電路設計433功耗與延遲估算134電路模擬1541直流分析1642瞬態分析1743功耗分析195版圖設計2...
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《電氣工程應用)2003年第2期超大規模集成電路生產廠的供配電設計信息產業電子第十一設計研究院有限公司(610051)楊天義1.概述超大規模集成電路產業是我國重點發展及政策扶持的產業之一,是電子工業的...
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本文格式為Word版,下載可任意編輯《超大規模數字集成電路》試題B__________線線____訂訂__裝裝________________線線::訂訂名裝裝名姓姓生生學學線線訂訂裝裝師師教教考考監...
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1.Giveaalordescriptivedefinitionforeachofthefollowingterms.(1)、ITRS:InternationalTechnologyRoadmapfo...
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Cu互連技術摘要:快速發展的半導體集成電路技術對互連技術不斷提出了新的需求,互連技術在近期和遠期的發展中面臨這一系列的技術和物理極限的挑戰,越來越成為集成電路制造和設計的瓶徑。Cu互連技術的發明是半導...
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超大規模集成電路的設計發展趨勢;摘要:隨著信息產品市場需求的增長,尤其通過通信、;關鍵字:超大規模集成電路發展趨勢SOCIP復用技;1引言;集成電路是采用半導體制作工藝,在一塊較小的單晶硅;2超大規模...
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目錄摘要1關鍵詞1ABSTRACT11引言12測試的基本概念221測試的原理222測試的環節223測試的可靠性324測試的分類33測試的難度34測試方法441多工位測試442SIP測試443IDDQ測...
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1.集成電路的發展過程經歷了哪些發展階段?劃分集成電路的標準是什么?集成電路的發展過程:?小規模集成電路(SmallScaleIC,SSI)?中規模集成電路(MediumScaleIC,MSI)?大規...
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積累第2章MOS場效應晶體管7VGSVT------------VD=0-----------反型層p-V溝道第2章MOS場效應晶體管13反型層使得S和D連通,稱為溝道。當D-S之間存在電勢差就可以形...
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集成電路的工藝第一章數字電路到數字集成電路1MOS晶體管的結構第一章數字電路到數字集成電路2清華大學微電子所李翔宇剖面圖氧化物重摻雜p型區多晶硅重摻雜n型區NMOS柵氧化層輕摻雜p型區雙阱CMOS工藝...
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數字大規模集成電路設計數字大規模集成電路設計集成度和集成度和SCALINGDOWN2集成度一片硅片上的所有晶體管是一起制造出來的,所以單個硅片上的晶體管數量越多,單個晶體管的成本越低。集成度:單個芯片...
上傳時間:2022-11-16 | 頁數:10 | 格式:PDF | 瀏覽:13
集成電路版圖?芯片每步加工的圖形由光刻版控制——光刻過程通過光刻膠顯影將光刻版上的圖形轉移到芯片表面。?刻蝕、擴散、注入、淀積等步驟所作用的范圍對應光刻膠變性(或未變性)的區域。?版圖:每層光刻版的圖...
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靜態互補CMOS邏輯的設計第一章數字電路到數字集成電路()()FABCDFABCD=+??=++C(a)下拉網絡DFABSN1SN4SN2SN3FC(b)通過識別出子網絡層次化地推出上拉網絡DABDC...
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