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積累第2章MOS場效應晶體管7VGSVT------------VD=0-----------反型層p-V溝道第2章MOS場效應晶體管13反型層使得S和D連通，稱為溝道。當D-S之間存在電勢差就可以形...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：14 | 格式：PDF | 瀏覽：9
數字大規模集成電路設計數字大規模集成電路設計集成度和集成度和SCALINGDOWN2集成度一片硅片上的所有晶體管是一起制造出來的，所以單個硅片上的晶體管數量越多，單個晶體管的成本越低。集成度：單個芯片...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：10 | 格式：PDF | 瀏覽：6
集成電路的工藝第一章數字電路到數字集成電路1MOS晶體管的結構第一章數字電路到數字集成電路2清華大學微電子所李翔宇剖面圖氧化物重摻雜p型區多晶硅重摻雜n型區NMOS柵氧化層輕摻雜p型區雙阱CMOS工藝...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：14 | 格式：PDF | 瀏覽：5
集成電路版圖?芯片每步加工的圖形由光刻版控制——光刻過程通過光刻膠顯影將光刻版上的圖形轉移到芯片表面。?刻蝕、擴散、注入、淀積等步驟所作用的范圍對應光刻膠變性（或未變性）的區域。?版圖：每層光刻版的圖...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：4 | 格式：PDF | 瀏覽：6
靜態互補CMOS邏輯的設計第一章數字電路到數字集成電路()()FABCDFABCD=+??=++C(a)下拉網絡DFABSN1SN4SN2SN3FC(b)通過識別出子網絡層次化地推出上拉網絡DABDC...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：3 | 格式：PDF | 瀏覽：7
第二講MOS場效應晶體管引言理想開關第2章MOS場效應晶體管3Ron=0（Ion=∞）Roff=∞（Ioff=0）開關狀態切換的延時=0柵（G）源漏|VGS||VGS||VT|斷開(off)(G=‘0...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：6 | 格式：PDF | 瀏覽：7
4.5.4邏輯結構級延時優化邏輯結構級延時優化邏輯級優化(1)優化邏輯深度優化邏輯深度?技術：重組結構技術：重組結構邏輯級優化(2)?減少關鍵路徑上邏輯門的扇出（負載）Q點扇出變小點扇出變小Q邏輯級優...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：4 | 格式：PDF | 瀏覽：8
互連線延時模型互連線延時模型6.214集總電容模型集總電容模型6.2.115集總模型（LumpedModel)VoutDrivercwireVinClumpedRdriverVout只有寄生電容占支配...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：4 | 格式：PDF | 瀏覽：6
互連線延時的優化互連線延時的優化6.2.327互連問題28來源：ITRS2005相對延時工藝標志點（nm）1001010.125018013090654532門延時(扇出=4)局部連線全局連線（含中繼...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：9 | 格式：PDF | 瀏覽：8
4.5.1關鍵路徑關鍵路徑關鍵路徑時序路徑：兩級寄存器間的信號傳輸路徑，?起點：時鐘信號、原始輸入?終點：時序單元的數據輸入端、原始輸出時序路徑由時序弧組成?邏輯門時序弧?互連線時序弧時鐘頻率由路徑延...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：4 | 格式：PDF | 瀏覽：9
第2章MOS場效應晶體管48統一（手工）計算模型SDGBPMOS的γ和λ都是負值。第2章MOS場效應晶體管49簡單模型和精確模型00.511.522.500.511.522.5x10-4VDS(V)I...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：5 | 格式：PDF | 瀏覽：11
10.3乘法器10.3.1數字電路中的乘法運算54二進制乘法XXi2ii0=M1–?=YYj2jj0=N1–?=ZX··Y×Zk2kk0=MN1–+?==Xi2ii0=M1–???????????Yj...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：5 | 格式：PDF | 瀏覽：8
10.2加法器10.2.7樹形加法器塊建立信號000011101001101001:01:002221221:021:002:02:00333233323:32212111233:2()()().oi...
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9.2時鐘偏差和時鐘抖動9.2.3時鐘偏差和抖動的來源時鐘的不確定性來源243PowerSupplyInterconnect5Temperature6CapacitiveLoad7Couplingto...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：17 | 格式：PDF | 瀏覽：6
3.2噪聲容限3.2.2多級噪聲容限噪聲抑制存在噪聲vn:Vout’=f(Vin+vn)泰勒展開：222()()outoutoutinnnininVVVfVvvVV??=+++???反相器增益1out...
上傳時間：2022-11-16 | 頁數：7 | 格式：PDF | 瀏覽：6
小結小結6.3.431互連線的信號完整性問題小結線間電容引起串擾問題?影響因素：干擾信號幅度、翻轉速度、受害信號線的驅動電阻、線間電容大小?影響：信號噪聲、延時不確定（與數據相關）?解決方法：減小信號...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：6 | 格式：PDF | 瀏覽：7
8.3時序參數8.3.1時序參數的定義2425時序參數（1）建立（set-up)時間:tsu（2）保持（hold）時間:thold（3）時鐘至輸出（clk-q）時間:tclk-q最大值（max）：稱為...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：9 | 格式：PDF | 瀏覽：6
消除反相器的行波進位加法器無輸出反相器消除反相器的行波進位加法器消除反相器的行波進位加法器無輸出反相器增加輸入反相器全加器鏡像結構原理PUN(f)PDN(f)FNMOS(f)NMOS(f)SC____...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：5 | 格式：PDF | 瀏覽：7
6.4互連線的scalingdown1互連線密度的提升可以加工的最小的互連線節距（pitch）也與工藝的特征尺寸有關。Pitch=寬度+間隔2互連參數與尺度的關系3互連線的理想尺寸縮小?導線寬度和厚度...
上傳時間：2022-11-07 | 頁數：8 | 格式：PDF | 瀏覽：5
8.2靜態時序單元8.2.3主從邊沿觸發寄存器18主從（邊沿觸發）寄存器10DCLKQMMaster01CLKQSlaveQMQDCLK?由一個正電平靈敏Latch和一個負電平靈敏Latch構成(主從...
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